MT8631
MT8631 简介 MT8631采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 主...
MT8631 简介 MT8631采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 主...
MT8763 简介 MT8763采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保护能力,100KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40...
MT8713 简介 MT8713采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.4V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,15KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能...
MT8712 简介 MT8712采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.4V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,15KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能...
MT8711 简介 MT8711采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.4V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,15KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能...
MT8553 简介 MT8553采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,25KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能...
MT8552 简介 MT8552采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,25KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能...
MT8551 简介 MT8551采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,25KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使芯片能工...
MT8573 简介 MT8573采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,25KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能...
MT8572 简介 MT8572采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.0V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,25KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能...